西村 武史 | NEC関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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竹村 浩一
NEC基礎研究所
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尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
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加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
日本電気
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
著作論文
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価