葛原 正明 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 高橋 英匡

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 山口 佳子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  Nec

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森川 純子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小川 博世

  Crl

• 小川 博世

  情報通信研究機構新世代ワイヤレス研究センター

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 富田 正俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 西村 武史

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 小川 博世

  NTT

• 西川 敏夫

  村田製作所

• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 竹村 浩一

  NEC基礎研究所

• 西川 敏夫

  株式会社村田製作所

• 西川 敏夫

  株式会社村田製作所横浜開発センタ

• 小林 禧夫

  埼玉大学

• 大橋 英征

  三菱電機株式会社

• 村口 正弘

  Nttエレクトロニクス

• 村口 正弘

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 西川 健二郎

  NTT未来ねっと研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 西川 健二郎

  日本電信電話株式会社

• 尾藤 康則

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 尾藤 康則

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 禧夫

  埼玉大学地域共同研究センター

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  Neculsiデバイス開発研究所

• 國弘 和明

  東工大理

• 国弘 和明

  東工大理

• 鈴木 克己

  超電導工学研究所

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 徳満 恒雄

  NTT

• 国弘 和明

  Nec

• 笠原 健資

  NEC

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 中山 達峰

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大野 泰夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 竹中 勉

  テラテック

• 銭 永喜

  電通大

• 鈴木 克己

  超電導研

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石倉 幸浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉永 浩之

  東芝

• 赤池 正己

  東京理大

• 岡本 康宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 徳満 恒雄

  NTT無線システム研究所

• 竹中 勉

  株式会社テラテック 第1研究部

• 大橋 英征

  三菱電機

• 岡本 康宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 赤池 正己

  東京理大 工

• 西川 健二郎

  Ntt

• 国弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 國弘 和明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
• AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
• 1995年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム報告
• 新構造GaAs高出力FPFET
• GaAsの飽和ドリフト速度は?
• 1993年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウ報告
• 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
• 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
• InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
• L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
• 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
• S帯高効率30W電力増幅器

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