金森 幹夫 | NEC 関西エレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC 関西エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 康宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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著作論文

• InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
• AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性

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