恩田 和彦 | 日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
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舟橋 政弘
日本電気(株)
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細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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マディヒアン モハマド
日本電気(株)c&c研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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テクル ロガン
日本電気(株)c&c研究所
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デクル ロガン
日本電気(株)c&cシステム研究所
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
(株)ミリウェイブ
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大畑 恵一
(株)ミリウェイブ
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恩田 和彦
(株)ミリウェイブ
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デクル ロガン
日本電気(株)C&Cシステム研究所
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田中 愼一
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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田中 愼一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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細谷 健一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NEC-関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝巳
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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分島 影男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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富士原 明
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
NEC関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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小林 禧夫
埼玉大学
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丸橋 建一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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丸橋 建一
日本電気(株)
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小林 禧夫
埼玉大学地域共同研究センター
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分島 彰男
NEC関西エレクトロニクス研究所
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牧野 洋一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NEC関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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富士 原明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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モハマド マディヒアン
日本電気(株)C&C研究所
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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丸橋 建一
日本電気株式会社
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牧野 洋一
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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細谷 健一
日本電気株式会社
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
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水木 恵美子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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金川 潔
埼玉大学工学部電気電子工学科
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丸橋 建一
NEC-関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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富士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 建一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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細谷 健一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
ミリウェイブ
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大畑 恵一
ミリウェイブ
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恩田 和彦
ミリウェイブ
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ロホン デクロ
日本電気(株)C&Cメディア研究所
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葛原 正明
ULデバイス開発研究所
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テクル ロガン
日本電気
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丸橋 建一
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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富士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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恩田 和彦
化合物デバイス事業所
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安藤 裕二
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
モハマド マディヒアン
日本電気(株)c&cメディア研究所
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水木 恵美子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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堀 恭子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
ロホン デクロ
日本電気(株)c&cメディア研究所
-
丸橋 建-
日本電気(株)関西エレクト□ニクス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
著作論文
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- ミリ波帯AlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET MMIC発振器
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- ミリ波帯ヘテロ接合FETMMIC電圧制御発振器
- V帯MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz帯MMIC2段高出力増幅器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- 高速ミリ波帯無線LAN用共振型モノリシックT/Rスイッチ
- ソース注入概念を用いた24GHz帯アップコンバータMMIC
- バッファアンプ付K帯CPWモノリシック発振器
- K帯無線ネットワーク用CPW構造HJFETアップコンバータMMIC
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
- プレーナドープHJFETのノンアロイ接触抵抗率解析
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討
- 高信頼性高性能InAlAs/InGaAs HJFET
- 高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET
- ミリ波トランジスタで何が実現するか? (よみがえるミリ波--産業応用への展開) -- (デバイス編)
- 受信モジュール用24GHz帯MMlC発振器