InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討
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概要
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InAlAs, InGaAs HJFET用高信頼性ゲート検討として、n-In_0.52>Al_0.48>As上にTi/Pt/Au、Mo/Ti/Pt/Auをそれぞれ蒸着することによりショットキー・ダイオードを作製し、その初期特性および熱的安定性を評価した。蒸着後のMo/Ti/Pt/Au素子においては障壁高さφ_Bが0.60eV、理想因子n値は1.17と良好なショットキー特性が得られることを確認した。さらに、熱処理により、Ti/Pt/Au素子ではショットキー特性が劣化するのに対し、Mo/Ti/Pt/Au素子では極めて安定していることがわかった。この高い安定性は、Moが、Ti/InAlAs界面で起こるTiとInの相互拡散を抑制するためであると考えられる。以上の結果より、Moはこの材料系の高信頼性ゲート材料として有望であることが分かる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
著者
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
冨士原 明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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