高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
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概要
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AlAs/InAs超格子(4ML/4ML、7周期)をInAlAsショットキー層中に導入したInAlAs/InGaAs系HJFET構造は従来構造で見られる熱工程時の不純物侵入を抑制することができ、その結果、ドナー不活性化に起因する熱的不安定性を大幅に改善できることを確認した。この構造を有する0.15μm、ゲートHJFET(SPRINT)を試作した結果、gm=650mS/mm(@Vd=0.75V)、BVgd>8Vの優れたDC特性が得られること、および従来型InAlAs/InGaAs系HJFETと同等の優れた高周波特性(f_T=155GHz、Fmin/Ga=0.38dB/15.8dB @12GHz)が得られることを確認した。この結果は、SPRINT構造採用により、信頼性を向上させながら優れた高周波特性をもつInAlAs/InGaAs系HJFETの実現が可能であることを示すものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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