AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
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概要
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
Nec
-
國弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
笠原 健資
NEC
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
中山 達峰
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
羽山 信幸
Nec
-
國弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
-
国弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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