[招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
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概要
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サファイヤ基板上にMOVPEで成長したAlGaN/GaNヘテロエピ結晶を用いてHJFETを作製した。2層レジストを用いたEB直描によってL_g=0.25μmのT型ゲートを作製し、良好なDC特性を得るとともに、f_Tとf_maxの真性値として58GHzと130GHzをそれぞれ得た。この特性はGaNFETが準ミリ波帯でも十分に応用可能であることを示している。またHJFETのゲート電流から導出したGaNのイオン化係数は、GaAsに比べ極めて小さく、GaNが本質的に高耐圧な材料であることを実験的に確認した。一方、電流コラプスやAC動作時に電流が減少するなど結晶や表面に起因すると考えられる問題も顕在化し、今後解決すべき課題も明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
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