薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
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概要
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薄層化サファイア基板上にSiN保護膜付きAlGaN/GaNへテロ接合FETを作製した。L帯ロードプル測定により、基板厚50μmのゲート幅16mmのFETはドレイン電圧26VにてCW出力22.6W(1.4W/mm)、電力付加効率41.9%、線形利得9.4dBを示した。また、基板厚50μmのゲート幅32mmのFETではドレイン電圧40Vにてパルス出力113W(3.5W/mm)が得られた。我々が知る限り、出力113Wは基板を問わずGaN系デバイスの最高出力であり、薄層化サファイア上GaN技術の優位性を示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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