葛原 正明 | NEC光・無線デバイス研究所

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概要

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• 葛原 正明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 宮本 広信

  NEC

• 井上 隆

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 幡谷 耕二

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 安藤 裕二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NEC光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大田 一樹

  NEC光・無線デバイス研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  Nec

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 岡本 康宏

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 安藤 裕二

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 宮本 広信

  財団法人新機能素子研究開発協会

• 岡本 康宏

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 中山 達峰

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 安藤 裕二

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 宮本 広信

  (財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 葛原 正明

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 井上 隆

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 幡谷 耕二

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 葛原 正明

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 葛原 正明

  NEC 光・無線デバイス研究所

• Contrata W.

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 岡本 康宏

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 安藤 裕二

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 幡谷 耕二

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 井上 隆

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 中山 達峰

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 宮本 広信

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 葛原 正明

  財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター

• 中山 達峰

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 幡谷 耕二

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 岡本 康宏

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NEC 光・無線デバイス研究所

• Contrata Walter

  日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所

• 石倉 幸治

  NEC化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 柴田 直樹

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター

• 葛原 正明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 千田 昌伸

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 平田 宏治

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 小嵜 正芳

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 播谷 耕二

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター

• 井上 隆

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 井上 隆

  NEC光・無線デバイス研究所

• 井上 隆

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 平田 宏治

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 千田 昌伸

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター

• 小嵜 正芳

  財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター

• Contrata Walter

  Nec光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 井上 隆

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 高橋 裕之

  Nec光・無線デバイス研究所

• Contrata W

  NEC光・無線デバイス研究所

• Contrata W.

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 石倉 幸治

  NEC 化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC 化合物デバイス事業部

• 分島 彰男

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 大田 一樹

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  NEC 化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  日本電気

• 國弘 和明

  東工大理

• 国弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 国弘 和明

  Nec

• 笠原 健資

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 中山 連峰

  (財)新機能素子研究開発協会

• 井上 隆

  NEC 光・無線デバイス研究所

• Contrata W

  日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所

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  日本電気株式会社システムipコア研究所

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  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
• 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
• 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
• フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
• フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
• SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
• 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
• フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
• Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
• SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
• C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
• 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
• 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
• SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
• 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
• 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
• 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション

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