高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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GaN半導体は,ヘテロ接合が構成できるワイドバンドギャップ半導体として高性能トランジスタヘの応用が検討されており,特に高耐圧かつ高周波のパワーデバイスとして注目されている.本論文では,AlGaN/GaNヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタの構造,プロセス,及びデバイス特性の最新の動向を紹介する.特に,携帯電話基地局と準ミリ波システムヘの応用を想定して開発されたそれぞれのパワーアンプの特性について述べる.最後に,窒化物系トランジスタの可能性と将来展望について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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