2V動作1W小型高出力HJFET
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概要
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近年、携帯電話端末において、電源電圧(Vds)3.0〜3.6Vにおける検討がなされている。我々は、ダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)を用いて、周波数900MHz,3V動作において飽和出力(Psat)1.7W、電力付加効率(PAE)66%を報告した。今後は一層の低電圧動作化と小型軽量化が求められる。今回、より低電源電圧(Vds≦3.0V)での出力特性を評価し、2V動作においても良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
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