移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET

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概要

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NiMH電池1本で動作する携帯電話用高出力素子として、AlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルドープダプルヘテロ接合FET(HJFET)を開発した。素子構造において、電子供給層の高濃度化及びゲート電極のアンドープAlGaAsショットキー層への埋め込み構造を検討した。その結果、Imax=600MA/mm、gm=260mS/mmを達成した。周波数950MHz、1.2V動作において、ゲート幅28mmのHJFETは出力重視整合時に、飽和出力1.1W及び電力付加効率54%を示した。一方、効率重視整合時には、電力付加効率63%及び飽和出力0.6Wを得た。また、ロードプル測定より、出力最大となる負荷インピーダンスと効率最大となる負荷インピーダンスが近接することが分かった。本素子はNiMH電池1本で動作する超小型軽量及び低コスト携帯電話の実現に有効である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-01-17

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