Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
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概要
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SiC基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETで、初めてワット級のKa帯パワー動作を確認したので報告する。短チャネルGaN系FETにおける高耐圧、大電流、高利得といった特長を生かして、ゲート幅0.36mmの単チップでKa帯において出力2Wを超えるパワー動作の最高記録を達成した。試作したゲート幅100μmのFETのMSGが、ゲート長0.07μmでは30GHzにおいて10.5dB(60GHzにおいて8.2dB)、ゲート長0.25μmでは30GHzにおいて9.2dB(60GHzにおいて6.2dB)と良好であったことから、短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETはKa帯あるいはそれ以上の周波数における様々な高出力応用に有望であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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