葛原 正明 | NEC関西エレクトロニクス研究所
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概要
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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NEC光・無線デバイス研究所
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(株)ミリウェイブ
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
(株)ミリウェイブ
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大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
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財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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佐本 典彦
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葛原 正明
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
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NEC光・無線デバイス研究所
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Nec 光・無線デバイス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
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NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
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水谷 浩
Nec
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水谷 浩
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
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千田 昌伸
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
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日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
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井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
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麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
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伊藤 仁彦
Nec基礎研究所
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望月 康則
NEC基礎研
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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三浦 郁雄
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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石倉 幸冶
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松永 高冶
NEC関西エレクトロニクス研究所
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望月 康則
Nec基礎研究所
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船橋 政弘
(株)ミリウェイブ
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舟橋 政弘
ミリウェイブ
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大畑 恵一
ミリウェイブ
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恩田 和彦
ミリウェイブ
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冨士原 明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
著作論文
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60GHz帯MMIC広帯域高出力増幅器
- 60GHz帯MMIC 2段広帯域出力増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- マイクロストリップ線路に結合した60GHz帯誘電体共振器
- 60GHz 帯高出力MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz 帯 MMIC 誘電体装荷電圧制御発振器
- 60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器
- 60GHz安定化MMIC信号源
- ミリ波帯MMIC誘電体安定化電圧制御発振器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
- モンテカルロ・シミュレータを用いたAlGaAs/InGaAs HJFETに於けるショックレイモデルの評価
- AlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンク発生機構の検討
- 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- 2V動作1W小型高出力HJFET