麻埜 和則 | NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部の論文著者

関連著者

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 高橋 英匡

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 森川 純子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 長谷川 浩一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 上田 隆

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 栗原 俊道

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小野 文伸

  日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 新宮 善蔵

  日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部

• 岩田 直高

  Necエレクトロニクス

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  Neculsiデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 麻埜 和則

  NEC化合物デバイス事業部

• 伊藤 仁彦

  Nec基礎研究所

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 水田 正忠

  光・超高周波デバイス研究所

• 石倉 幸浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NECULSIデバイス開発研究所

• 石倉 幸冶

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松永 高冶

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 望月 康則

  Nec基礎研究所

• 竹中 功

  NECULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NECULSIデバイス開発研究所

• 筒井 宏彰

  NECULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  ULSIデバイス開発研究所化合物開発部

• 森川 純子

  ULSIデバイス開発研究所化合物開発部

• 江森 文章

  日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部

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著作論文

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• C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
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• 新構造GaAs高出力FPFET
• 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
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• L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
• 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
• 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
• S帯高効率30W電力増幅器
• 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
• 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MES FET (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)

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