佐倉 直喜 | Nec関西エレクトロニクス研究所

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概要

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• Nec関西エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 高橋 潔

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐倉 直喜

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NEC化合物デバイス事業部

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 溝江 准

  日本電気株式会社 モバイルワイヤレス事業部

• 宇野沢 浩精

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 溝江 准

  NEC C&C LSI開発本部

• 永井 慶次

  NEC C&C LSI開発本部

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 筒井 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 望月 晃

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石倉 幸冶

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松永 高冶

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐倉 直喜

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高冶

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 永井 慶次

  Nec C&c Lsi開発本部

• 望月 晃

  日本電気エンジニアリング(株)

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著作論文

• L帯100W高電圧動作FP-HFET
• ソース電極バイアホールを有する0.18μmAu/WSiゲートHJFETによるミリ波帯MMIC技術
• スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
• C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
• C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET

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