竹中 功 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 高橋 英匡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

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  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 麻埜 和則

  NEC化合物デバイス事業部

• 森川 純子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• L帯100W高電圧動作FP-HFET
• 移動体基地局用200W GaAs HFET
• C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
• L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
• S帯高効率30W電力増幅器

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