金森 幹夫 | Nec Ulsiデバイス開研

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概要

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関連著者

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 高橋 英匡

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 潔

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山口 佳子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 山口 佳子

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 石倉 幸治

  NEC化合物デバイス事業部

• 竹中 功

  NEC化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気

• 高橋 英匡

  NEC化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NEC化合物デバイス事業部

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐倉 直喜

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NECULSIデバイス開発研究所

• 長谷川 安昭

  NEC化合物デバイス事業部

• 今川 和之

  NEC化合物デバイス事業部

• 長谷川 安昭

  NEC 化合物デバイス事業部

• 小形 幸範

  NEC 化合物デバイス事業部

• 伊東 朋弘

  NEC 化合物デバイス事業部

• 筒井 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 望月 晃

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡本 康宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石倉 幸冶

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松永 高冶

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 望月 晃

  日本電気エンジニアリング(株)

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著作論文

• L帯100W高電圧動作FP-HFET
• 20GHz帯高出力ヘテロ接合FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
• 移動体基地局用200W GaAs HFET
• C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
• EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析
• MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
• HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
• スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
• 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
• C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作

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