上村 和義 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 貞義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 若林 良昌

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 河野 通久

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• 高橋 潔

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• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 根岸 均

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

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• 佐倉 直喜

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 佐倉 直喜

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 筒井 宏明

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• 望月 晃

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• 望月 晃

  日本電気エンジニアリング(株)

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著作論文

• C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
• X帯MMIC用単一正電源動作FET
• MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
• スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
• 1.9GHz帯低歪みGaAsパワーアンプIC
• 単一電源HJFET MMIC
• 単一電源HJFET MMIC
• 単一電源HJFET MMIC
• PDC用単一電源GaAs 1WパワーアンプIC
• PDC用単一電源 GaAs ドライバーアンプ
• 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
• 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
• 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
• C-10-4 効率70%L帯PA MMIC
• C-10-1 高効率動作エンハンスメント型 HJFET

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