C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
根岸 均
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
及川 隆一
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
上村 和義
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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