低消費電力LSI用PM-HJFETの試作検討
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概要
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マルチメディアに代表される大容量情報処理通信の普及のためには、処理速度が速く、かつ低消費電力なLSIの実用化が不可欠である。今回、我々は、AlGaAs/InGaAsPM-HJFETを高性能化してE-D構成LSI用素子を試作し、0.5μmの実用的なゲート長において良好な速度/電力比を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
浅井 周二
日本電気(株)
-
及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
栗栖 正和
日本電気株式会社
-
浅井 周二
日本電気株式会社
-
河野 通久
日本電気株式会社
-
及川 洋一
日本電気株式会社
-
金子 信
日本電気株式会社
-
加藤 浩之
日本電気アイシーマイコンシステム(株)
-
吉田 卓克
日本電気株式会社
-
武田 敏行
日本電気株式会社
-
河野 通久
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
金子 信
Nec C&c Lsi開発本部
-
栗栖 正和
Nec C&c Lsi開発本部
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