GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
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概要
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パッシベーション膜にSiO_2を用いたGaAs MESFETのパッシベーション界面のストイキオメトリをエネルギー分散X線分光法(EDX)により分析した結果と素子の耐圧特性について比較評価を行った。その結果、界面付近にAs過剰な領域があるときに耐圧は低下する傾向を示した。このようなストイキオメトリの変化は、GaAs表面酸化の程度の差により生ずると考えられる。耐圧の異なるFETのショットキー障壁高さが等しいことや、耐圧の低い素子で耐圧のゲート・ドレイン間距離依存性が見られないことから、パッシベーション界面のストイキオメトリの変化が界面負電荷量を介してゲート端部の電界集中を緩和・増大し、耐圧変動をもたらすと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
-
河野 通久
NEC ULSIデバイス開発本部
-
水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
水田 正志
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
三好 陽介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
河野 通久
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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