FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性

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概要

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FIELOによる転位密度低減がGaN及びInGaN量子井戸の発光メカニズムに及ぼす影響を調べるため、FIELO-GaN及びFIELO基板上InGaN量子井戸の発光強度と発光寿命の温度依存性を測定し、従来のサファイア基板上試料と結果を比較した。その結果、FIELO-GaNでは非輻射中心密度がサファイア上GaNに比べて大幅に低減していること、また、InGaN量子井戸では非輻射中心密度だけでなくIn組成揺らぎも発光効率を左右していることがわかった。この2つの要素によって発光効率が決まるモデルを提案し、その解析からFIELO上量子井戸では、サファイア上試料に比べて、非輻射中心密度も組成揺らぎも共に低減されていることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-10-22

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