選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQWリッジ型LDの作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
現在報告されている窒化物レーザダイオード(LD)の多くは、ドライエッチング法により形成したリッジ型構造を採用している。この構造においては、横方向の屈折率段差が大きく、リッジを形成する際のエッチング深さにより横モード特性が大きく変化するため、ウェハ面内で均一な特性を得るのが一般に難しい。今回、この問題を解決するために、リッジ形状の制御性に優れた選択成長法を用いてRiS(Ridge by Selective re-growth)型窒化物半導体レーザを作製したので報告する。作製したRiS型LDでは、40mW以上の高出力時まで単一横モードを保つことが実験的に検証された。また、90℃直流電流条件下で30mW以上の光出力を出すことに成功した。これらの評価結果から、RiS型LDは量産性の高い実用的な窒化物LDとして有望な構造と考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-06-08

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク