ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長(<小特集>III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
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概要
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We studied epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) to clarify the behavior of threading dislocations. It was found that the threading dislocations were greatly influenced by formation of facets at the initial growth stage. The epitaxial region with low dislocation density was successfully achieved by both HVPE and MOVPE combined with ELO, though the dislocation reduction mechanism was different between the two. Improvements in device performance on the low-dislocation-density substrate by HVPE are also described.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-06-30
著者
-
酒井 朗
Nec基礎研究所
-
木村 明隆
NEC光・無線デバイス研究所
-
笹岡 千秋
Nec光・無線デバイス研究所
-
笹岡 千秋
NEC光超高周波デバイス研究所
-
砂川 晴夫
NEC光超高周波デバイス研究所
-
木村 明隆
NEC光超高周波デバイス研究所
-
碓井 彰
NEC光超高周波デバイス研究所
-
碓井 彰
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
砂川 晴夫
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
碓井 彰
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
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