結晶成長はどこまでミクロに制御できるか (極限技術と応用物理特集号) -- (材料技術の極限)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 企業から見たJJAP論
- 気相成長の反応モデル--GaAsエピタキシャル成長の表面反応 (結晶工学)
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- ODMRによる半導体中の局所点欠陥評価
- GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
- 選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQWリッジ型LDの作製 (窒化物・青色光半導体)
- 「ヘテロエピタキシーと界面構造制御」小特集にあたって
- 企業からの一言 (国際化時代の応用物理) -- (応用物理学会はこうあって欲しい)
- 技術開発 青紫色GaN系レーザダイオード (ストレージソリューション技術特集)
- 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
- 結晶成長はどこまでミクロに制御できるか (極限技術と応用物理特集号) -- (材料技術の極限)