C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
-
水田 正志
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
葛原 正明
日本電気
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
伊藤 仁彦
Nec基礎研究所
-
望月 康則
NEC基礎研
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
三好 陽介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
望月 康則
Nec基礎研究所
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