水田 正志 | Nec Ulsiデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• Nec Ulsiデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 伊藤 仁彦

  Nec基礎研究所

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 望月 康則

  Nec基礎研究所

• 中山 弘

  神戸大学工学部

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 葛原 正明

  関西エレクトロニクス研究所

• 中山 弘

  大阪市立大学

• 水田 正忠

  光・超高周波デバイス研究所

• 石倉 幸浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

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著作論文

• C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
• Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
• 新構造GaAs高出力FPFET
• GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
• 「ヘテロエピタキシーと界面構造制御」小特集にあたって

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