望月 康則 | Nec基礎研究所

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概要

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• 望月 康則

  Nec基礎研究所

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec光・超高研

• 山口 敦史

  Nec基礎研

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 伊藤 仁彦

  Nec基礎研究所

• 山口 敦史

  金沢工大 ものづくり研

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 良之

  NEC基礎・環境研CNT応用研究センター

• 葛原 正明

  日本電気

• 杉野 修

  NEC基礎研

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 宮本 良之

  Necナノエレ研

• 横澤 亜由美

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
• Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
• 変調反射分光法による半導体ドライエッチングダメ-ジの評価 (LSIの評価・解析技術特集) -- (製造プロセス評価解析技術)
• FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
• FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
• ODMRによる半導体中の局所点欠陥評価
• 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
• GaAsのドライエッチング損傷の微細構造評価
• 半導体B(シリコン以外)

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