宮本 良之 | Necナノエレ研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
宮本 良之
Necナノエレ研
-
宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
-
宮本 良之
NECナノ研
-
河合 孝純
NECナノエレ研
-
河合 孝純
NEC基礎・環境研
-
杉野 修
NEC基礎研
-
斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
-
斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
-
古賀 義紀
産総研炭素センター
-
古賀 義紀
産総研
-
館山 佳尚
物材機構MANA
-
杉野 修
東大物性研
-
胡 春平
物材機構MANA
-
河合 孝純
JFCC
-
古賀 義紀
物質研
-
館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
-
横澤 亜由美
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
宮本 良之
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
-
Louie Steven
カリフォルニア州立大バークリー校
-
Cohen Marvin
カリフォルニア州立大バークリー校
-
宮本 良之
NEC 基礎研究所
-
Louie Steven
カリフォルニア州立大
-
Cohen Marvin
カリフォルニア州立大
-
Louie Steven
カリフォルニア大学バークレー校物理
-
岡田 晋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
真庭 豊
首都大理工
-
宮田 耕充
名大院理
-
片浦 弘道
産総研ナノテク
-
宮田 耕充
首都大理工
-
真庭 豊
CREST-JST
-
大野 隆央
物材機構計算科学セ
-
野々山 信二
理化学研究所
-
片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
-
岡田 晋
筑波大計科セ:crest
-
大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
柳 和宏
産総研ナノテク
-
河合 孝純
Japan Fine Ceramics Center
-
大野 隆央
物材機構
-
望月 康則
NEC基礎研
-
杉野 修
東京大学物性研究所
-
宮本 良之
NEC(株)ナノエレクトロニクス研究所 新概念デバイスTG
-
小山 紀久
物材機構
-
Rubio Angel
パイスヴァスコ大学
-
押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
-
押山 淳
筑波大学物理学系
-
宮本 良之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
望月 康則
Nec基礎研究所
-
Tomanek David
ミシガン大学
-
日浦 英文
NEC 基礎研
-
Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
-
日浦 英文
NECナノエレ研
-
胡 春平
東大物性研
-
杉野 修
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
-
JEONG S.
筑波大学物理学系
-
日浦 英文
Nec基礎研
-
片浦 弘道
産総研ナノシステム
-
館山 佳尚
物材機構 計算材料科学研究センター
著作論文
- 28pWN-1 グラフェンリボンを骨格とした新規物質の形成と物性 : カーボンナノホーンの核部分の構造(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
- 25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
- 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aZB-1 高速多価イオン衝突によるグラファイト構造変化 : 時間依存第一原理計算によるアプローチ(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27a-Y-11 第一原理計算による electron counting model の検討 : GaAs(100)面上の水素反応
- 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
- 26aTG-9 グラフェンに吸着した酸素の拡散に関する第一原理計算(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
- 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
- 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
- Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
- 28aZB-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関する理論
- 30pYH-7 第一原理電子状態計算による張力下におけるカーボンナノチューブの水素吸着特性(30pYH ナノチューブ構造・欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pVC-7 時間依存密度汎関数理論におけるエネルギー保存則(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aRA-12 オゾンおよび酸素分子のカーボンナノチューブへの吸着・破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pRA-5 カーボンナノチューブの酸化における結合曲率の効果(ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aRJ-8 カーボンナノチューブの酸素分子による破壊に関する第一原理電子状態計算(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYB-7 酸素分子のナノチューブへの化学吸着と破壊(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYB-2 カーボンナノチューブにおける格子欠陥の拡散に関する理論計算(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pUF-7 ナノチューブにおける格子欠陥の構造と拡散に関する理論計算(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXH-3 時間依存密度汎関数法に対する電子正孔相互作用補正(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pYN-3 光励起によるナノチューブ欠陥のダイナミクス : 第一原理計算より(領域10シンポジウム : カーボンナノチューブの欠陥と物性,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aXA-9 細いカーボンナノチューブの酸化による破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 領域7「カーボンナノチューブ研究最前線 : 応用を語る前に高品質試料による基礎研究を」(第60回年次大会シンポジウムの報告)
- 24aYN-2 極細カーボンナノチューブの酸化と破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 電子励起反応の第一原理シミュレーション(最近の研究から)
- 30aZP-7 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算II(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 22aXF-7 細いナノチューブの酸化と安定性に関する第一原理計算
- 21aXF-12 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算
- 31aZB-13 電子励起を利用したカーボンナノチューブ酸素不純物の除去
- 28pYC-3 非断熱緩和過程を取り入れた第一原理分子動力学
- 解説 電子励起後の原子移動と非断熱過程の第一原理計算
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
- 31p-YX-15 第一原理計算によるBNナノチューブの準安定構造
- 29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
- 28a-S-9 ダイヤモンド表面近傍のN不純物原子の振る舞い
- ナノスケールコイルの可能性 : 第一原理計算からの予測
- SiO_2膜中の水素原子 : 電荷捕獲中心としての振る舞い
- 30a-J-6 螺旋対弥性を持つナノチューブの電気伝導
- 3p-C-2 エナージェティクス-半導体酸化の機構
- 3p-C-2 エナージェティクス : 半導体酸化の機構