26aTG-9 グラフェンに吸着した酸素の拡散に関する第一原理計算(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28pWN-1 グラフェンリボンを骨格とした新規物質の形成と物性 : カーボンナノホーンの核部分の構造(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
-
27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
-
25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
-
27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aZB-1 高速多価イオン衝突によるグラファイト構造変化 : 時間依存第一原理計算によるアプローチ(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
31a-PS-29 Si(100)表面におけるC原子の吸着と進入
-
6p-B-3 強電界下Si表面と吸着原子との相互作用に関する第一原理電子論
-
29a-PS-12 強電界下におけるC原子とSi表面との相互作用
-
28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
27a-Y-11 第一原理計算による electron counting model の検討 : GaAs(100)面上の水素反応
-
23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
-
19aXA-5 トポロジカルな線状欠陥を持つナノチューブの電子構造とエネルギー論(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aTG-9 グラフェンに吸着した酸素の拡散に関する第一原理計算(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
-
30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
-
30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
-
25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
-
Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
-
28aZB-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関する理論
-
27pE-8 多重結合を持ったグラフェンリボンの電子構造と反応性
-
26a-YR-8 Si(100)step表面におけるIn原子の吸着と電界効果
-
30pYH-7 第一原理電子状態計算による張力下におけるカーボンナノチューブの水素吸着特性(30pYH ナノチューブ構造・欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
-
20pVC-7 時間依存密度汎関数理論におけるエネルギー保存則(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aRA-12 オゾンおよび酸素分子のカーボンナノチューブへの吸着・破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
-
22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
19pRA-5 カーボンナノチューブの酸化における結合曲率の効果(ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
-
20aRJ-8 カーボンナノチューブの酸素分子による破壊に関する第一原理電子状態計算(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
-
23pYB-7 酸素分子のナノチューブへの化学吸着と破壊(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
-
25aYB-2 カーボンナノチューブにおける格子欠陥の拡散に関する理論計算(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27pUF-7 ナノチューブにおける格子欠陥の構造と拡散に関する理論計算(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
30aXH-3 時間依存密度汎関数法に対する電子正孔相互作用補正(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
20pYN-3 光励起によるナノチューブ欠陥のダイナミクス : 第一原理計算より(領域10シンポジウム : カーボンナノチューブの欠陥と物性,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
19aXA-9 細いカーボンナノチューブの酸化による破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
-
領域7「カーボンナノチューブ研究最前線 : 応用を語る前に高品質試料による基礎研究を」(第60回年次大会シンポジウムの報告)
-
24aYN-2 極細カーボンナノチューブの酸化と破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
-
電子励起反応の第一原理シミュレーション(最近の研究から)
-
30aZP-7 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算II(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
-
22aXF-7 細いナノチューブの酸化と安定性に関する第一原理計算
-
21aXF-12 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算
-
31aZB-13 電子励起を利用したカーボンナノチューブ酸素不純物の除去
-
28pYC-3 非断熱緩和過程を取り入れた第一原理分子動力学
-
解説 電子励起後の原子移動と非断熱過程の第一原理計算
-
26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
-
30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
-
31p-YX-15 第一原理計算によるBNナノチューブの準安定構造
-
29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
-
28a-S-9 ダイヤモンド表面近傍のN不純物原子の振る舞い
-
ナノスケールコイルの可能性 : 第一原理計算からの予測
-
SiO_2膜中の水素原子 : 電荷捕獲中心としての振る舞い
-
30a-J-6 螺旋対弥性を持つナノチューブの電気伝導
-
3p-C-2 エナージェティクス-半導体酸化の機構
-
3p-C-2 エナージェティクス : 半導体酸化の機構
-
強電界下Si表面原子の動力学に関する第一原理電子論
-
25aYB-4 高密度原子欠陥を持つナノチューブの欠陥自己修復(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
1p-YE-9 強電界下原子スケール構造物における表面ポテンシャル障壁
-
31p-PSB-36 強電界下における吸着子拡散の理論
-
9aSE-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関するTight-Binding計算(成長,構造,ガス吸着,領域7)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク