解説 電子励起後の原子移動と非断熱過程の第一原理計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センタ-の論文

著者

• 宮本 良之

  Necナノエレ研

関連論文

• 28pWN-1 グラフェンリボンを骨格とした新規物質の形成と物性 : カーボンナノホーンの核部分の構造(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
• 27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
• 25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
• 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aZB-1 高速多価イオン衝突によるグラファイト構造変化 : 時間依存第一原理計算によるアプローチ(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27a-Y-11 第一原理計算による electron counting model の検討 : GaAs(100)面上の水素反応
• 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
• 26aTG-9 グラフェンに吸着した酸素の拡散に関する第一原理計算(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
• 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
• 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
• Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
• 28aZB-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関する理論
• 30pYH-7 第一原理電子状態計算による張力下におけるカーボンナノチューブの水素吸着特性(30pYH ナノチューブ構造・欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pVC-7 時間依存密度汎関数理論におけるエネルギー保存則(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aRA-12 オゾンおよび酸素分子のカーボンナノチューブへの吸着・破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ(物性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pWA-2 ナノスケール物質の高速現象への応用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pRA-5 カーボンナノチューブの酸化における結合曲率の効果(ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aRJ-8 カーボンナノチューブの酸素分子による破壊に関する第一原理電子状態計算(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pYB-7 酸素分子のナノチューブへの化学吸着と破壊(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYB-2 カーボンナノチューブにおける格子欠陥の拡散に関する理論計算(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pUF-7 ナノチューブにおける格子欠陥の構造と拡散に関する理論計算(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aXH-3 時間依存密度汎関数法に対する電子正孔相互作用補正(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pYN-3 光励起によるナノチューブ欠陥のダイナミクス : 第一原理計算より(領域10シンポジウム : カーボンナノチューブの欠陥と物性,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aXA-9 細いカーボンナノチューブの酸化による破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
• 領域7「カーボンナノチューブ研究最前線 : 応用を語る前に高品質試料による基礎研究を」(第60回年次大会シンポジウムの報告)
• 24aYN-2 極細カーボンナノチューブの酸化と破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 電子励起反応の第一原理シミュレーション(最近の研究から)
• 30aZP-7 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算II(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
• 22aXF-7 細いナノチューブの酸化と安定性に関する第一原理計算
• 21aXF-12 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算
• 31aZB-13 電子励起を利用したカーボンナノチューブ酸素不純物の除去
• 28pYC-3 非断熱緩和過程を取り入れた第一原理分子動力学
• 解説 電子励起後の原子移動と非断熱過程の第一原理計算
• 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
• 30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
• 31p-YX-15 第一原理計算によるBNナノチューブの準安定構造
• 29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
• 28a-S-9 ダイヤモンド表面近傍のN不純物原子の振る舞い
• ナノスケールコイルの可能性 : 第一原理計算からの予測
• SiO_2膜中の水素原子 : 電荷捕獲中心としての振る舞い
• 30a-J-6 螺旋対弥性を持つナノチューブの電気伝導
• 3p-C-2 エナージェティクス-半導体酸化の機構
• 3p-C-2 エナージェティクス : 半導体酸化の機構

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク