宮本 良之 | NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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概要
関連著者
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宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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宮本 良之
Necナノエレ研
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河合 孝純
NECナノエレ研
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宮本 良之
NECナノ研
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河合 孝純
NEC基礎・環境研
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杉野 修
NEC基礎研
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古賀 義紀
産総研
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宮本 良之
Nec基礎研
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河合 孝純
JFCC
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
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古賀 義紀
産総研炭素センター
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押山 淳
筑波大学物理学系
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杉野 修
東大物性研
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古賀 義紀
物質研
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河合 孝純
Japan Fine Ceramics Center
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押山 淳
Nec基礎研
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横澤 亜由美
NEC ULSIデバイス開発研究所
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Louie Steven
カリフォルニア州立大バークリー校
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Cohen Marvin
カリフォルニア州立大バークリー校
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Louie Steven
カリフォルニア州立大
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Cohen Marvin
カリフォルニア州立大
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Louie Steven
カリフォルニア大学バークレー校物理
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押山 淳
東大院工
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斎藤 晋
東工大理
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真庭 豊
首都大理工
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宮田 耕充
名大院理
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片浦 弘道
産総研ナノテク
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館山 佳尚
物材機構MANA
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村田 惠三
阪市立大院理
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村田 惠三
阪市大理
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宮田 耕充
首都大理工
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真庭 豊
CREST-JST
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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斎藤 晋
東工大・理
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
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緒方 啓典
法政大工物質化学
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胡 春平
物材機構MANA
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長谷川 達生
産総研光技術研究部門
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長谷川 達生
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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柳 和宏
産総研ナノテク
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大野 隆央
物材機構
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望月 康則
NEC基礎研
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館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
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杉野 修
東京大学物性研究所
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宮本 良之
NEC(株)ナノエレクトロニクス研究所 新概念デバイスTG
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小山 紀久
物材機構
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押山 淳
筑波大物理
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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Rubio Angel
パイスヴァスコ大学
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
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望月 康則
Nec基礎研究所
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Tomanek David
ミシガン大学
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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Kitazawa Hideaki
The Institute Of Physical And Chemical Research
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斎藤 晋
東京工大
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渡部 宏治
NECシステムデバイス研究所主任研究員
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宮本 良之
Nec基礎研究所主任
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胡 春平
東大物性研
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JEONG S.
筑波大学物理学系
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宮本 良之
NEC 基礎研究所
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片浦 弘道
産総研ナノシステム
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館山 佳尚
物材機構 計算材料科学研究センター
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Rubio A.
パイスヴァスコ大
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Tomanek D.
ミシガン大
著作論文
- 液晶プロジェクター化に向けた領域独自の試み,大会運営の電子化への期待(会員の声)
- 28pWN-1 グラフェンリボンを骨格とした新規物質の形成と物性 : カーボンナノホーンの核部分の構造(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
- 25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
- 26aZB-1 高速多価イオン衝突によるグラファイト構造変化 : 時間依存第一原理計算によるアプローチ(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
- 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
- 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
- 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
- Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
- Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
- 28aZB-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関する理論
- ナノテクノロジーを支える原子スケール材料シミュレーション : カーボンナノチューブへの応用(応用数理の最前線)
- 19pRA-5 カーボンナノチューブの酸化における結合曲率の効果(ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aRJ-8 カーボンナノチューブの酸素分子による破壊に関する第一原理電子状態計算(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYB-7 酸素分子のナノチューブへの化学吸着と破壊(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYB-2 カーボンナノチューブにおける格子欠陥の拡散に関する理論計算(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pUF-7 ナノチューブにおける格子欠陥の構造と拡散に関する理論計算(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXH-3 時間依存密度汎関数法に対する電子正孔相互作用補正(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pYN-3 光励起によるナノチューブ欠陥のダイナミクス : 第一原理計算より(領域10シンポジウム : カーボンナノチューブの欠陥と物性,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aXA-9 細いカーボンナノチューブの酸化による破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 領域7「カーボンナノチューブ研究最前線 : 応用を語る前に高品質試料による基礎研究を」(第60回年次大会シンポジウムの報告)
- 24aYN-2 極細カーボンナノチューブの酸化と破壊に関する第一原理計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 電子励起反応の第一原理シミュレーション(最近の研究から)
- 30aZP-7 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算II(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 22aXF-7 細いナノチューブの酸化と安定性に関する第一原理計算
- 21aXF-12 カーボンナノチューブにおける励起キャリアー緩和の第一原理計算
- 31aZB-13 電子励起を利用したカーボンナノチューブ酸素不純物の除去
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
- 31p-YX-15 第一原理計算によるBNナノチューブの準安定構造
- 29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
- 28a-S-9 ダイヤモンド表面近傍のN不純物原子の振る舞い
- ナノスケールコイルの可能性 : 第一原理計算からの予測
- SiO_2膜中の水素原子 : 電荷捕獲中心としての振る舞い
- 30a-J-6 螺旋対弥性を持つナノチューブの電気伝導
- 3p-C-2 エナージェティクス : 半導体酸化の機構
- 25aYF-6 カーボンナノチューブの直径に依存した電子親和力
- 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
- 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
- 9aSE-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関するTight-Binding計算(成長,構造,ガス吸着,領域7)
- 9aSE-11 ナノチューブ欠陥の光励起ダイナミクス(分光,領域7)
- 27aXN-13 細いナノチューブの融合反応(27aXN ナノチューブ(ピーポッド,二層ナノチューブ),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25aXN-9 グラフェンリボン:反応前駆体としての可能性(25aXN 領域7シンポジウム主題:グラファイト関連物質における新しい展開,領域7(分子性固体・有機導体分野))