渡部 宏治 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 寺島 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 宮本 良之

  Nec基礎研究所主任

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 寺島 浩一

  日本電気

• 小倉 卓

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡部 宏治

  NECシステムデバイス研究所主任研究員

• 小野 春彦

  日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 小野 春彦

  NECシリコンシステム研

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮本 良之

  NEC基礎・環境研CNT応用研究センター

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 小倉 卓

  NEC シリコンシステム研究所

• 寺井 真之

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 平司

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮村 真

  NEC シリコンシステム研究所

• 西藤 哲史

  NEC シリコンシステム研究所

• 森岡 あゆ香

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  NEC シリコンシステム研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 矢部 裕子

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  NEC シリコンシステム研究所

• 増崎 幸治

  NEC シリコンシステム研究所

• 望月 康則

  NEC シリコンシステム研究所

• 深井 利憲

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 宮本 良之

  NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

• 小倉 卓

  日本電気

• 渡部 宏治

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 五十嵐 信行

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 渡部 宏治

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 増崎 幸治

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 中川 隆史

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 五十嵐 信行

  NECラボラトリーズ

• 渡部 宏治

  NECラボラトリーズ

• 宮本 良之

  NECラボラトリーズ

• 細川 由美子

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気

• 渡部 宏治

  日本電気

• 忍田 真希子

  日本電気

• 森岡 あゆ香

  NECグリーンイノベーション研究所

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著作論文

• Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
• HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
• Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
• Sio_2/Si 界面構造の原子スケール直接観察
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
• ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
• 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察
• HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定

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