忍田 真希子 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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高橋 健介
日本電気株式会社
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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日本電気株式会社
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間部 謙三
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小倉 卓
(株)genusion
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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MIRAI-ASET
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NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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日本電気(株)基礎研究所
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ソニー(株)
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日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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小辻 節
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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川本 英明
Necエレクトロニクス(株)
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辰巳 徹
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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小倉 卓
日本電気
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五十嵐 信行
日本電気
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)