砂村 潤 | Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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概要
関連著者
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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砂村 潤
日本電気(株)基礎研究所
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所
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馬場 寿夫
NEC基礎研
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川浦 久雄
日本電気(株)基礎研究所
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馬場 雅和
NEC
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佐野 亨
NEC
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馬場 雅和
NEC基礎研究所
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飯田 一浩
NEC基礎研究所
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佐野 亨
NEC基礎研究所
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井口 憲行
NEC基礎研究所
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馬場 雅和
日本電気(株)基礎・環境研究所
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馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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飯田 一浩
Nec 基礎・環境研
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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寺部 一弥
無機材質研
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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水野 正之
Necシステムデバイス研究所
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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桑原 祐司
理研
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帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
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中山 知信
物質・材料研究機構
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砂村 潤
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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川浦 久雄
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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阪本 利司
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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馬場 寿夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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高橋 健介
日本電気株式会社
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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小辻 節
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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間部 謙三
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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金子 貴昭
立命館大学文学研究科 アート・リサーチセンター
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金子 貴昭
日本学術振興会
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
-
金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
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齋藤 忍
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
金子 貴昭
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)