寺部 一弥 | 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
寺部 一弥
無機材質研
-
寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
-
寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
-
長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
桑原 祐司
理研
-
青野 正和
物材機構mana
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
寺部 一弥
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
帰山 隼一
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
中山 知信
物材機構mana:筑波大院
-
水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
水野 正之
日本電気株式会社
-
北村 健二
株式会社SWING
-
北村 健二
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
北村 健二
物材機構
-
川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
-
北村 健二
物質・材料研究機構 物質研究所
-
北村 健二
独立行政法人物資・材料研究機構
-
青野 正和
東理大理
-
寺部 一弥
理研・科技団
-
青野 正和
理研
-
水野 正之
Necシステムデバイス研究所
-
藤本 健二郎
パイオニア株式会社技術開発本部
-
水野 正之
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
-
帰山 隼一
NECシステムデバイス研究所
-
川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
-
中山 知信
物質・材料研究機構
-
桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
-
尾上 篤
パイオニア株式会社技術開発本部
-
長 康雄
東北大学電気通信研究所
-
平永 良臣
東北大学電気通信研究所
-
藤本 健二郎
東北大学電気通信研究所
-
我妻 康夫
東北大学電気通信研究所
-
北村 建二
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
伴野 直樹
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
中山 知信
物材機構MANA
-
根岸 良太
科技振
-
長谷川 剛
科技振
-
田中 啓文
分子研
-
寺部 一弥
科技振
-
小川 琢治
分子研
-
青野 正和
科技振
-
田中 啓文
自然科学研究機構・分子科学研究所・分子スケールナノサイエンスセンター
-
中山 知信
理研
-
長谷川 剛
理研・科技団
-
根岸 良太
理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
-
我妻 康夫
東北大通研
-
尾上 篤
パイオニア株式会社総合研究所
-
鶴岡 徹
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
尾上 篤
パイオニア (株)
-
尾上 篤
パイオニア(株)総合研究所
-
青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
-
中村 優
物質・材料研究機構
-
竹川 俊二
株式会社swing
-
竹川 俊二
(独)物質・材料研究機構物質研究所
-
劉 曉燕
物質・材料研究機構、物質研究所
-
樋口 慎二
物質・材料研究機構、物質研究所
-
竹川 俊二
物質・材料研究機構、物質研究所
-
北村 健二
物質・材料研究機構、物質研究所
-
伴野 直樹
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
伴野 直樹
NEC基礎・環境研究所
-
井口 憲幸
NEC基礎・環境研究所
-
砂村 潤
NEC基礎・環境研究所
-
北村 健二
物質・材料研究機構
-
井口 憲幸
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 徹
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
-
長谷川 剛
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
寺部 一弥
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
-
小澤 寛晃
分子研
-
海老原 知子
物材機構
-
姜 春生
Texas大
-
橋本 克之
理化学研究所
-
姜 春生
理研
-
中山 知信
理研・科技団
-
青野 正和
理研・科技団
-
砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
-
砂村 潤
日本電気株式会社
-
橋本 克之
理研
-
鶴岡 徹
独立行政法人 物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
長谷川 剛
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
寺部 一弥
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
青野 正和
独立行政法人物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井口 憲幸
超低電圧デバイス技術研究組合
著作論文
- LN, LTのエッチングによるナノ表面加工(機能性結晶III)
- 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2の記録密度を持つ強誘電体記録(垂直記録および一般)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2 の記録密度を持つ強誘電体記録
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- 固体電解質メモリー
- 20pTG-5 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 原子スイッチ : 原子(イオン)の移動を利用したナノデバイス
- 30pXC-2 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの測定(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 最近の研究 量子化伝導原子スイッチの開発
- 究極的なナノデバイス「原子スイッチ」の開発
- 固体電気化学反応を用いた量子化電導原子スイッチとその応用
- わかる入門講座 ナノテクの世界(11)ナノ・ドメイン・エンジニアリング(2)
- わかる入門講座 ナノテクの世界(10)ナノ・ドメイン・エンジニアリング(1)
- 31p-T-6 III-V族化合物半導体表面上でのSTMによる原子操作
- Material Report R&D 強誘電体ナノ・ドメイン・エンジニアリング
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- 電子情報分野ナノイオニクスデバイスの開発 (特集 ナノイオニクスが拓く次世代技術)
- 5.局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス : 原子スイッチ(ナノデバイス)