31p-T-6 III-V族化合物半導体表面上でのSTMによる原子操作
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
青野 正和
理研
-
寺部 一弥
無機材質研
-
寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
-
寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
姜 春生
Texas大
-
橋本 克之
理化学研究所
-
中山 知信
理研
-
姜 春生
理研
-
寺部 一弥
理研・科技団
-
寺部 一弥
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
-
橋本 克之
理研
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