イオン工学の分析技術への応用 (イオン工学--新物質創成・高機能素子開発を目指して<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28a-S-3 電界蒸発の閾値に及ぼすSTM短針先端の幾何学的形状の効果
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
- 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
- 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
- 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
- 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
- 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
- 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
- 31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
- 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
- 1p-G-3 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
- 28p-YA-3 和周波発生法を用いた表面吸着分子における振動スペクトルのピコ秒時間分解測定
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
- 31p-WC-4 交差鎖から成るポリマー擬似単原子層のSTMによる観察
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 25a-Y-12 Si(111)表面における金属クラスターの形成と再配列過程 : STMによる観察
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
- 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
- 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
- 23pWB-5 二探針STM法によるSi(111)表面電気抵抗計測 : 探針間距離依存性
- 27a-PS-17 ダブルティップ走査トンネル顕微鏡II
- 31p-F-8 Si(111)表面の酸化反応における核形成、成長モデル
- Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定
- 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
- 25pY-12 Au2原子列鎖の構造と電子状態
- 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
- 30p-ZF-6 STM像における探針の傾きの影響
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 2p-PSA-2 Si(111)7×7表面のSi単原子の安定位置と電子状態の理論計算
- 31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性
- 29a-WB-5 CaF/Si(111) の成長と欠陥形成の機構 : STMによる観察
- 15a-DJ-7 Si(111)1x1-CaF表面におけるSTM観察
- 27a-ZS-7 Si(111)金属吸着表面上のGe成長 : CAICISSによるリアルタイム追跡
- 27p-Z-11 低エネルギー領域におけるイオンの散乱ポティンシャル
- 29a-P-6 表面イオン雲
- 6a-B4-12 CaF2(111)表面の欠陥の構造と化学状態
- 6a-B4-11 Si(111)-√3×√3Ag表面の構造のCAICISSによる研究
- 28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
- 5a-PS-21 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Gaの構造解析
- 5a-PS-20 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Sbの構造解析
- 31a-Q-5 C-単層膜中における光重合C-二量体および三量体の非対称電子密度分布 : STM/STSによる検討
- 26p-YM-3 C_単分子層膜におけるC_-C_重合反応 : STMによる実空間観察
- 28a-Y-9 STMによるSi(111)7x7 表面原子除去確率の原子位置依存性
- 5p-PS-79 Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体のイオン散乱分光
- 15a-DH-9 Si(111)6×6-Au表面のSTMによる観察
- 6a-B-8 有機導体単結晶のSTM探針への応用II
- 31p-T-12 有機伝導体のSTM探針への応用
- 31p-T-6 III-V族化合物半導体表面上でのSTMによる原子操作
- Ag/GaAs(110)表面のSTM/STS測定
- 3p-K-3 STM探針による原子移動と原子付与
- 極高真空容器の表面改質
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- 28a-S-6 Si表面上金属原子のSTMによる操作
- 19pPSB-31 Temperature and flux dependence of the nucleation of Si (111)-√x√-Ag phase on clean Si surface studied by SHG
- 22aWA-3 Enhancement of surface magnetization in Si(111)-7×7 observed by surface SHG
- 22pW-2 SHGによる表面磁気光学効果(SMOKE)の感度特性
- 22pW-1 Si(111)-7x7表面の磁気光学効果の表面SHG法による測定
- 23pWB-6 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM誘起発光
- 27pZ-9 水素終端Si(001)表面上のナノ構造からのSTM発光
- 28a-Q-2 Si表面上の原子スケール構造からのSTMによる発光
- 28p-YR-10 STMによる原子スケールでの発光とその機構
- 5a-B-7 水素終端Si(001)表面を用いたSTMによる原子操作
- 31p-T-5 水素終端Si(001)表面での原子操作
- 電子の飛び出る石 (セラミックスの不思議--頭を柔らかくして理屈を知ろう,何故?なぜ?ナゼ?)
- 表面と膜の評価 (プラズマによる膜生成とその特性評価)
- 微小領域の機能評価法とその応用--新しい低速イオン散乱分光法
- 29a-YB-4 単一パルス自己相関器の製作およびピコ秒パルス幅測定
- La_Sr_xCuO_およびNd_Ce_xCuO_の局所構造と超伝導
- イオン工学の分析技術への応用 (イオン工学--新物質創成・高機能素子開発を目指して)
- 28p-PSB-37 X線の絶対反射率測定による表面構造解析
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- 12p-DH-8 Si(111)7x7表面の原子欠陥近傍におけるSTMによるSi原子除去確率の変化
- 27a-P-11 TiC単結晶チップを用いた走査トンネル顕微鏡(STM)
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 2p-PSA-19 Si(001)およびAs終端Si(001)表面におけるInの初期成長過程のCAICISSによるその場観察
- 14p-DJ-9 STMを用いたSi(111)-7X7表面の局所的水素化
- 28pYQ-4 原子細線の伝導チャネル
- 25aTA-8 金属原子細線の電気伝導
- 30p-Q-4 原子架橋の電気伝導の第一原理計算
- 25p-YM-5 原子架橋の透過チャンネルの理論計算
- 25p-YR-9 有機導体(BEDT-TTF)_2I_3表面のSTMによる評価