Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
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概要
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Er-doped light-emitting Si films grown by solid phase epitaxy have been evaluated by time-resolved photoluminescence (TRPL) and medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy (ME-CAICISS). It was found that the light emission characteristics correspond to the crystal structure of the films, which were grown on Si(111) substrate and Si(001) substrate.
- 2002-07-01
著者
-
青野 正和
理研
-
小林 峰
理研
-
小室 修二
東洋大学 先端光応用計測研究センター
-
小室 修二
東洋大
-
小室 修二
東洋大工(先端光応用計測研究センター)
-
曾根 逸人
理研:群大工
-
青野 正和
阪大工:物材研機構
-
小林 峰
理化学研究所
-
小室 修二
東洋大工
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