曾根 逸人 | 理研:群大工
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概要
関連著者
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曾根 逸人
理研:群大工
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金子 聰
東理大・理
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宮川 宣明
東理大・理
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曽根 逸人
理研
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宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
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曽根 逸人
東理大・理
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曾根 逸人
東理大・理・応物
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山崎 弘祥
東理大・理
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山崎 弘祥
東理大・理・応物
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山田 大輔
東理大・理・応物
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中村 良治
宇宙研
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宮川 宣明
東理大理応物
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飯島 誠
東理大・理
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中村 良治
元宇宙研
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金子 聰
東理大理応物
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曾根 逸人
東理大理応物
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青野 正和
理研
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小林 峰
理研
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小室 修二
東洋大学 先端光応用計測研究センター
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小室 修二
東洋大
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小室 修二
東洋大工(先端光応用計測研究センター)
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青野 正和
阪大工:物材研機構
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山崎 弘祥
東理大理応物
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山田 大輔
東理大理応物
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小林 峰
理化学研究所
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小室 修二
東洋大工
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宮川 宜明
東理大・理・応物
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柿本 明修
東理大・理・応物
著作論文
- Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 「結晶成長若手の会」の活動状況 : Part3
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- 「結晶成長若手の会」の活動状況Part 2
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
- MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
- 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)