30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-03-10
著者
-
金子 聰
東理大・理
-
宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
-
山田 大輔
東理大・理・応物
-
宮川 宣明
東理大・理
-
曾根 逸人
理研:群大工
-
曾根 逸人
東理大・理・応物
-
山崎 弘祥
東理大・理・応物
-
曽根 逸人
理研
-
山崎 弘祥
東理大・理
関連論文
- 30aTG-5 遷移金属カルコゲナイドFeSeの構造評価(30aTC 鉄砒素超伝導体5(中性子,NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aPS-122 FeSe超伝導体の単結晶作成の試み(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pTC-11 気相法により成長したFeSe結晶の構造と物性(27pTC 鉄砒素超伝導体2(物質探索,輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pTC-10 FeSe超伝導体の焼結温度依存性(27pTC 鉄砒素超伝導体2(物質探索,輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pPSA-65 Sr_2Ru_Zr_xO_4のゼーベック効果(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-6 非晶質水素化並びに多結晶シリコンカーバイド膜の光学ギャップ(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
- 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
- RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
- LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
- 17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 17aTE-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトル上のdip構造とResonance Spin Excitationとの関係
- 28aTA-4 プラズマCVD法によるシリコンカーバイド薄膜のFTIRと生成機構
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
- 24pSG-8 トンネル分光法によるBi_2Sr_La_xCuO_の超伝導ギャップのdoping依存性
- 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
- 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
- 24aPS-10 多層系銅酸化物の超伝導ギャップのドーピング依存性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-22 TlBa_2Ca_2Cu_3O_のトンネル伝導度の温度依存性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-11 多層系銅酸化物HgBa_2Ca_2Cu_3O_y及びBa_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-47 Bi2201のトンネル分光
- La-doped Bi22010の単結晶育成とその評価
- 28aWA-3 多層系銅酸化物 TIBa_2Ca_2Cu_3O_ 及び (Cu, C)Ba_2Cu_3Cu_4O_ のトンネル分光
- 21pYG-6 Ba_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(高温超伝導(トンネル分光,面間輸送),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aC13 RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の成長機構;総括(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 28aPS-17 多層系銅酸化物超伝導体のトンネル分光(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 23aTR-10 多層系銅酸化物超伝導体の 2 ギャップ構造 : トンネルコンダクタンスの温度依存性より
- 26p-PSB-33 トンネル測定に於けるフォノン構造の大きさの評価
- Bi2212のトンネル分光法によるフォノン構造の再現性II
- Bi2212のトンネルスペクトルにおけるフォノン構造
- 高温超伝導酸化物の単結晶育成及びその評価
- 28p-PSA-42 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8のトンネルコンダクタンス
- 30p-PSB-14 トンネル伝導度に於けるフォノン構造の解析
- 30a-W-12 トンネル伝導度のフォノン構造と超伝導機構
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- 22pB10 ITOひげ結晶のVLS成長機構(気相成長IV)
- 鉄ホイスカーの残留抵抗
- 2元素合金におけるラフニング転移 : 平衡形
- 27a-J-9 2元系合金におけるラフニング転移
- 水素還元による鉄ホイスカーの成長形態 : ホイスカー
- 鉄ホイスカーの成長速度 : ひげ結晶
- 2p-F-1 金属ひげ結晶量産機構の回路網的解析
- VLS金属ひげ結晶 : 結晶成長
- 21aYC-4 RF プラズマ CVD 法における a-SiC 膜の FTIR による水素定量とピークシフト
- RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
- MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
- MTS (CH_3SiC1_3)を用いたRFプラズマCVD法によるSiCの成膜 : 無機結晶II
- 26a-PS-32 Bi2212トンネル接合のゼロバイアスコンダクタンスの温度依存性
- プラズマCVD法によるa-SiC薄膜の赤外分光II : 気相成長
- 24aZJ-4 トンネルスペクトルに観測された高エネルギー構造(Dip / Hump)の考察
- 23aPS-36 ドープ量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びトンネル分光
- 27aJ-14 CuBa_2Ca_3Cu_4O_yの準粒子トンネル分光
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 23pB2 RFプラズマCVD法によるa-SiCの成膜及び赤外分光法による評価(気相成長V)
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 23pA1 FZ法によるLa-doped Bi2201単結晶の育成(バルク成長V)
- 26a-YF-5 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトルのdoping依存性
- 金属whiskerの量産機構 : 結晶成長
- アルキルシラン還元過程におけるSiCホイスカーの成長
- 30a-F-2 鉄および鉄基合金ホイスカーの低効率
- 鉄ホイスカーの"その場"観察 II
- スパッター法による AlN 薄膜の配向性に対する PBC 理論の応用
- 28a-J-6 CVD炭化ケイ素膜の成長機構
- 27a-S-5 CVD炭化ケイ素の表面反応律速機構
- CVD炭化ケイ素の表面反応律速機構 : 気相成長
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
- 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)
- 閉管法における蒸気輸送過程 : 気相成長・薄膜I
- 27aC7 Co-Fe-Ni 3元合金ひげ結晶(気相成長II)
- 14p-L-11 鉄・コバルト系合金Whisker
- 27aC1 シリコンカーバイド熱CVD過程の温度変化(気相成長I)
- 気相成長モデルと律速過程 : 気相成長II
- より薄いSiC-CVD膜の成長動力学 : 気相成長・薄膜II
- 炭化ケイ素CVD膜の成長と界面構造 : 気相成長
- 1a-KD-6 化合物PVD速度の気体運動論的考察
- 11a-N-3 気相成長モデルと成長速度
- 気相成長速度モデルと律速過程 : 気相成長
- 1a-U-7 気相成長針状結晶の成長速度
- 4p-C-9 KCl種結晶の水溶液成長
- KCI溶液成長のその場観察 : 水溶液
- 6pPSA-25 過剰ドープされたBi2Sr2CaCu2O8+xのトンネル分光研究(高温超伝導,領域8)
- 28a-TG-2 Si(111)面SIMS信号の酸素量依存性(28aTG 表面・界面)