プラズマCVD法によるa-SiC薄膜の赤外分光II : 気相成長
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概要
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The thin films of a-SiC:H deposited on Si(100) by Plasma Cvo, were analyzed by means of FT-IR. The bond structures of the films and the growth conditions were discussed in interrelationship. The rate-determining species and the hydrogen content of the films are reported.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
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