19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 金子 聰

  東理大・理

• 宮川 宣明

  諏訪東理大・機械システム

• 泰井 まどか

  東理大・理

• 菅 俊介

  東理大・理

• 長田 英樹

  東理大・理

• 金子 聡

  東京理科大学理学部応用物理学科

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