より薄いSiC-CVD膜の成長動力学 : 気相成長・薄膜II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1991-07-25

著者

• 金子 聰

  東理大・理

• 那珂 通博

  東理大・理

関連論文

• 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
• 27aXC-6 非晶質水素化並びに多結晶シリコンカーバイド膜の光学ギャップ(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
• 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
• 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
• RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
• LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
• 17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
• 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
• 17aTE-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトル上のdip構造とResonance Spin Excitationとの関係
• 28aTA-4 プラズマCVD法によるシリコンカーバイド薄膜のFTIRと生成機構
• 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
• 24pSG-8 トンネル分光法によるBi_2Sr_La_xCuO_の超伝導ギャップのdoping依存性
• 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
• 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
• 24aPS-10 多層系銅酸化物の超伝導ギャップのドーピング依存性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aPS-22 TlBa_2Ca_2Cu_3O_のトンネル伝導度の温度依存性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-11 多層系銅酸化物HgBa_2Ca_2Cu_3O_y及びBa_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aWA-3 多層系銅酸化物 TIBa_2Ca_2Cu_3O_ 及び (Cu, C)Ba_2Cu_3Cu_4O_ のトンネル分光
• 21pYG-6 Ba_2Ca_3Cu_4O_8(O_F_x)_2のトンネル分光(高温超伝導(トンネル分光,面間輸送),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aC13 RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の成長機構;総括(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• 28aPS-17 多層系銅酸化物超伝導体のトンネル分光(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 23aTR-10 多層系銅酸化物超伝導体の 2 ギャップ構造 : トンネルコンダクタンスの温度依存性より
• 26p-PSB-33 トンネル測定に於けるフォノン構造の大きさの評価
• Bi2212のトンネル分光法によるフォノン構造の再現性II
• Bi2212のトンネルスペクトルにおけるフォノン構造
• 高温超伝導酸化物の単結晶育成及びその評価
• 28p-PSA-42 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8のトンネルコンダクタンス
• 30p-PSB-14 トンネル伝導度に於けるフォノン構造の解析
• 30a-W-12 トンネル伝導度のフォノン構造と超伝導機構
• 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
• 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
• 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
• MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
• モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
• 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
• 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
• MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
• 22pB10 ITOひげ結晶のVLS成長機構(気相成長IV)
• 鉄ホイスカーの残留抵抗
• 2元素合金におけるラフニング転移 : 平衡形
• 27a-J-9 2元系合金におけるラフニング転移
• 水素還元による鉄ホイスカーの成長形態 : ホイスカー
• 鉄ホイスカーの成長速度 : ひげ結晶
• 2p-F-1 金属ひげ結晶量産機構の回路網的解析
• VLS金属ひげ結晶 : 結晶成長
• RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
• MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
• MTS (CH_3SiC1_3)を用いたRFプラズマCVD法によるSiCの成膜 : 無機結晶II
• 26a-PS-32 Bi2212トンネル接合のゼロバイアスコンダクタンスの温度依存性
• プラズマCVD法によるa-SiC薄膜の赤外分光II : 気相成長
• 24aZJ-4 トンネルスペクトルに観測された高エネルギー構造(Dip / Hump)の考察
• 23aPS-36 ドープ量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びトンネル分光
• 27aJ-14 CuBa_2Ca_3Cu_4O_yの準粒子トンネル分光
• 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
• 23pB2 RFプラズマCVD法によるa-SiCの成膜及び赤外分光法による評価(気相成長V)
• 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
• 23pA1 FZ法によるLa-doped Bi2201単結晶の育成(バルク成長V)
• 26a-YF-5 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトルのdoping依存性
• 金属whiskerの量産機構 : 結晶成長
• アルキルシラン還元過程におけるSiCホイスカーの成長
• 30a-F-2 鉄および鉄基合金ホイスカーの低効率
• 鉄ホイスカーの"その場"観察 II
• スパッター法による AlN 薄膜の配向性に対する PBC 理論の応用
• 28a-J-6 CVD炭化ケイ素膜の成長機構
• 27a-S-5 CVD炭化ケイ素の表面反応律速機構
• CVD炭化ケイ素の表面反応律速機構 : 気相成長
• 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
• 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
• 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
• 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
• 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)
• 閉管法における蒸気輸送過程 : 気相成長・薄膜I
• 27aC7 Co-Fe-Ni 3元合金ひげ結晶(気相成長II)
• 14p-L-11 鉄・コバルト系合金Whisker
• 27aC1 シリコンカーバイド熱CVD過程の温度変化(気相成長I)
• 気相成長モデルと律速過程 : 気相成長II
• より薄いSiC-CVD膜の成長動力学 : 気相成長・薄膜II
• 炭化ケイ素CVD膜の成長と界面構造 : 気相成長
• 1a-KD-6 化合物PVD速度の気体運動論的考察
• 11a-N-3 気相成長モデルと成長速度
• 気相成長速度モデルと律速過程 : 気相成長
• 1a-U-7 気相成長針状結晶の成長速度
• 4p-C-9 KCl種結晶の水溶液成長
• KCI溶液成長のその場観察 : 水溶液
• 28a-TG-2 Si(111)面SIMS信号の酸素量依存性(28aTG 表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク