LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 金子 聰

  東理大・理

• 宮川 宣明

  諏訪東理大・機械システム

• 宮川 宣明

  東理大・理

• 藤山 雄一郎

  東理大・理

• 金子 聡

  東京理科大学理学部応用物理学科

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