17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
金子 聰
東理大・理
-
宮川 宣明
諏訪東理大・機械システム
-
宮川 宣明
東京理科大学大学院理学研究科物理学専攻
-
金子 聰
東京理科大学理学部
-
藤山 雄一郎
東理大・理
-
藤山 雄一郎
東京理科大理
-
金子 聡
東京理科大学理学部応用物理学科
-
宮川 宣明
東京理科大
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