熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
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概要
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The growth process of SiC-CVD was investigated by thermogravimeter, using MTS. The temperature dependence and MTS partial pressure dependence of SiC growth rate were examined. The partial pressure dependence was explained on the basis of the two sites competitive adsorption model.
- 1998-07-01
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