23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
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概要
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23aB12 The growth process of SiC-CVD was investigated by thermogravimeter, using MTS. The temperature dependence and MTS partial pressure dependence of SiC growth rate were examined. The partial pressure dependence was explained on the basis of the two sites competitive adsorption model.
- 1999-07-01
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